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气体在半导体外延中起到的作用
外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。
99~99.999%
氮气在常况下是一种无色无味无臭、无毒的气体。氮气占空气含量的78%，在标准情况下的气体密度是1.25g/L，氮气在水中溶解度很小。氮气在极低温-196℃下会液化成无色液体，进一步降低温到-210℃ 时，更会形成白色晶状固体。
包装物尺寸：8L/12L/47L/470L/（另接受定制）
CAS:7782-44-7
阀门型号：CGA-580
2804400000
企业名称含义：贝斯特即英文“best”的音译，含义为：要做就做好。
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