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气体在半导体外延中起到的作用
外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。
99~99.999%
氦气常用于飞船或广告气球中的充入气体，这一用途也是众所周知的。在海洋开发领域的呼吸用混合气体中，以及医疗领域的核磁共振成像设备的超导电磁体冷却的用途中，氦气都得到广泛的应用：军工、科研、石化、制冷、医疗、半导体、管道检漏、超导实验、金属制造、深海潜水、高精度焊接、光电子产品生产等。
包装物尺寸：8L/12L/47L/470L/（另接受定制）
CAS:275-187-7
2804290000
阀门型号：CGA-580
企业名称含义：贝斯特即英文“best”的音译，含义为：要做就做好。
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