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气体在半导体外延中起到的作用
外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。
99~99.999%
氢是主要的工业原料，也是最重要的工业气体和特种气体，在石油化工、电子工业、冶金工业、食品加工、浮法玻璃、精细有机合成、航空航天等方面有着广泛的应用。同时，氢也是一种理想的二次能源 （ 二次能源是指必须由一种初级能源如太阳能、煤炭等来制取的能源）
包装物尺寸：8L/12L/47L/470L/（另接受定制）
CAS:1333-74-0
阀门型号：CGA-350
2804100000
企业名称含义：贝斯特即英文“best”的音译，含义为：要做就做好。
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